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1200℃三溫區高真空CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片）表面發生化學反應，并生成固態薄膜沉積下來。

1200℃雙溫區真空CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片）表面發生化學反應，并生成固態薄膜沉積下來。

ALD原子層沉積系統系統是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設備，具有原子級別的厚度控制能力。ALD系統通常用于半導體制造、納米技術、光電器件、以及其他高科技領域

雙溫區CVD氣相沉積系統由1200℃雙溫區管式爐、雙通道質量流量計和低噪音雙極旋片真空泵組成。雙溫區CVD系統管式爐的兩個溫區分別由精密控溫儀表獨立控溫，通過調節各個溫區的溫度，該管式爐可以在加熱區內形成兩段溫度梯度或是形成較長的恒溫區域。

1200℃雙溫區真空CVD氣相沉積系統由雙溫區管式爐、三路浮子流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐兩個溫區分別由精密控溫儀表獨立控溫，通過調節各個溫區的溫度，該管式爐可以在加熱區內形成兩段溫度梯度或是形成較長的恒溫區域。每個溫區均可編輯30段升降溫程序，同時有過熱和斷偶保護功能。1200℃雙溫區3路浮子供氣低真空CVD系統爐管兩側法蘭配有數字式真空計和機械式壓力表，可以用來控制爐管內的氣氛環境。

1200℃三溫區低真空CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室，在基片（如硅片）表面發生化學反應，并生成固態薄膜沉積下來。