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兩通道CVD氣相沉積系統帶水冷法蘭雙路流量計并配有雙極旋片泵、水冷機、數字真空計且該CVD系統可抽真空、通氣氛用于各種CVD實驗。
1200℃三通道CVD氣相沉積系統主要由:材料加熱、真空獲取、氣體測量和等離子發生器四大部分構成??梢詽M足日常的大多數CVD實驗和各種科研要求。該CVD系統是材料制備過程中的理想之選。
三溫區1600 CVD氣相沉積系統主要用于真空燒結、氣氛保護性燒結、真空鍍膜 各種材料煅燒、需要溫度梯度的各種CVD實驗
1200℃單溫區高真空CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是:將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室,在基片(如硅片)表面發生化學反應,并生成固態薄膜沉積下來。
1200℃高真空CVD氣相沉積系統 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是:將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室,在基片(如硅片)表面發生化學反應,并生成固態薄膜沉積下來。
1200℃雙溫區高真空CVD氣相沉積系統 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是:將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室,在基片(如硅片)表面發生化學反應,并生成固態薄膜沉積下來。
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