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1200℃三溫區高真空CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是:將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室,在基片(如硅片)表面發生化學反應,并生成固態薄膜沉積下來。
1500℃單溫區3路浮子供氣高真空CVD氣相沉積由1500℃單溫區管式爐、三路浮子流量計和高真空分子泵組組成。管式爐由精密控溫儀表進行PID控溫,可編輯30段升降溫程序,同時有過熱和斷偶保護功能。1500℃單溫區高真空CVD系統爐管兩側法蘭配有數字式真空計和機械式壓力表,可以用來控制爐管內的氣氛環境。
全自動CVD滑軌爐氣相沉積系統由雙溫區滑軌爐、質子流量控制系統、真空系統三部分組成。雙溫區滑軌爐可移動并可實現快速升降溫;四路質子流量計能夠準確控制系統的供氣;全自動CVD滑軌爐真空泵可實現對管式爐快速抽真空。
1200℃三溫區三通道混氣CVD氣相沉積系統是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是:將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態反應物通入反應室,在基片(如硅片)表面發生化學反應,并生成固態薄膜沉積下來。
1200℃三溫區旋轉CVD氣相沉積系統安裝有投料器和收料罐。1200℃三溫區旋轉自動進出料CVD系統投料器可以以額定速率將粉料送入爐管,可實現在氣氛保護的環境下連續對粉末材料用CVD方法進行包裹和修飾。收料罐可以在氣氛保護環境下對處理好的料粉進行收集。
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