晶圓勻膠機是半導體制造及微納加工領域的核心設備，通過高速旋轉基片并滴注膠液，利用離心力實現光刻膠、溶膠-凝膠等材料的均勻涂覆，廣泛應用于晶圓、玻璃基板等樣件的薄膜制備。其核心原理在于通過精確控制轉速、加速度、旋涂時間等參數，結合膠液黏度與基片特性，形成厚度均勻的薄膜層，膜厚誤差通常控制在±5nm以內，滿足高精度工藝需求。

　　晶圓勻膠機其功能圍繞“在晶圓表面形成均勻、可控的薄膜”展開，具體可分為以下核心功能：

　　一、高精度薄膜涂覆

　　這是勻膠機最核心的功能。通過離心力驅動的材料擴散，將液態涂覆材料（如光刻膠、聚合物、金屬前驅體、絕緣層材料等）均勻覆蓋在晶圓表面，形成厚度一致的薄膜。

　　過程原理：先將少量材料滴于晶圓中心（或指定區域），晶圓通過高速旋轉（轉速通常為500-6000轉/分鐘，部分設備可達更高）產生離心力，推動材料向邊緣流動并鋪開，多余材料被甩出，最終形成均勻薄膜。

　　精度表現：可實現納米級到微米級的薄膜厚度控制，且晶圓表面不同區域的厚度偏差通常控制在±1%以內，滿足半導體工藝對薄膜均勻性的嚴苛要求（如光刻膠的均勻性直接影響后續圖案轉移精度）。

　　二、薄膜厚度精準調控

　　通過調整工藝參數，精確控制薄膜的最終厚度，滿足不同器件的設計需求：

　　核心參數影響：

　　轉速：在材料粘度固定時，薄膜厚度與轉速的平方根成反比（遵循“Stokes定律”衍生的離心涂覆模型），即轉速越高，薄膜越薄；

　　旋轉時間：低速階段（如100-500轉/分鐘）控制材料初步鋪展，確保覆蓋整個晶圓；高速階段（如1000-6000轉/分鐘）決定最終厚度，時間越長，材料甩出越充分，厚度越穩定；

　　材料特性：配合涂覆材料的粘度、固含量等參數調整，可進一步拓展厚度控制范圍（如低粘度材料適合制備超薄膜，高粘度材料適合厚膜）。

　　三、適配多樣化基板與工藝場景

　　基板兼容性：支持不同尺寸（2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）和類型的基板，包括硅晶圓、化合物半導體（GaAs、InP）、玻璃（用于顯示）、陶瓷等，通過定制化卡盤（真空吸附或機械夾持）確保旋轉時穩定無偏移。

　　材料適應性：可處理多種涂覆材料，如光刻膠（正性、負性）、SU-8膠（用于微結構制造）、金屬溶膠、絕緣樹脂等，滿足光刻、封裝、MEMS（微機電系統）等不同工藝的需求。

　　四、自動化與工藝穩定性保障

　　自動化集成：量產型勻膠機通常搭配機械臂實現自動上料、下料，可與光刻膠涂布前的預處理（如晶圓烘烤、表面改性）和涂布后的處理（如軟烘）設備聯動，形成連貫生產線，提升效率并減少人工污染。

　　環境與參數控制：部分高d機型集成溫度、濕度控制模塊，避免環境因素（如濕度影響光刻膠粘度）導致的工藝波動；同時，通過程序存儲功能固化優參數，確保不同批次晶圓的涂覆效果一致性，提升器件良率。

　　五、輔助功能優化涂覆效果

　　邊緣bead去除（EBR）：部分機型配備專用噴嘴，在勻膠后向晶圓邊緣噴射溶劑，去除邊緣多余的“膠珠”（避免后續工藝中邊緣殘膠脫落污染設備或影響圖案）。

　　預旋轉與加速控制：通過緩慢提升轉速（而非瞬間高速），避免材料因離心力突變導致的分布不均，尤其適合大尺寸晶圓（如12英寸）的涂覆。