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1200℃雙溫區(qū)CVD化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并生成固態(tài)薄膜沉積下來。

1200℃低真空旋轉(zhuǎn)CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并生成固態(tài)薄膜沉積下來。

1200℃金剛石膜CVD氣相沉積系統(tǒng) 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并生成固態(tài)薄膜沉積下來。

1200℃石墨烯CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并生成固態(tài)薄膜沉積下來。

1500℃碳納米管CVD氣相沉積系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控溫儀表進行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，同時有過熱和斷偶保護功能。1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)量供氣低真空CVD系統(tǒng)爐管兩側(cè)法蘭配有數(shù)字式真空計和機械式壓力表，可以用來控制爐管內(nèi)的氣氛環(huán)境。

1500℃半導(dǎo)體薄膜CVD氣相沉積系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控溫儀表進行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，同時有過熱和斷偶保護功能。1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣低真空CVD系統(tǒng)爐管兩側(cè)法蘭配有數(shù)字式真空計和機械式壓力表，可以用來控制爐管內(nèi)的氣氛環(huán)境。