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PEALD等離子增強原子層沉積系統是一種的薄膜沉積技術，結合了等離子體和原子層沉積（ALD）的優點，以實現更高的薄膜質量、更低的沉積溫度和更廣泛的材料兼容性。PEALD系統在微電子、光電器件、表面工程等領域中有著廣泛的應用

三溫區PECVD氣相沉積石墨烯制備系統用于制備石墨烯，是一種 “低溫、直接生長” 的技術。它尤其適合在非金屬基底（如絕緣襯底）上生長石墨烯，避免了從金屬催化劑轉移的復雜過程

晶圓鍍膜設備PECVD氣相沉積在超大規模集成電路、光電器件、MEMS等領域具有廣泛的應用

熱陰極直流等離子體化學氣相沉積系統（DCCVD）是在常規冷陰極輝光放電基礎上發展起來的，主要用于金剛石單晶或多晶膜的沉積生長

本產品為PECVD?旋轉等離子加強CVD系統。PECVD-R?旋轉等離子加強CVD設備十分適合在氣氛保護的環境下連續對粉末材料用CVD方法進行包裹和修飾。

PECVD化學氣相沉積系統采用等離子體增強型化學氣相沉積技術，能夠利用高能量等離子體促進反應過程，有效提升反應速度，降低反應溫度