RTP快速退火爐是我公司自主研發(fā)的功能強(qiáng)大的加熱設(shè)備。RTP退火爐采用進(jìn)口紅外加熱管加熱，造型新穎結(jié)構(gòu)合理，爐體和爐管可以自由滑動(dòng)，可實(shí)現(xiàn)快速升降溫。

RTP退火爐主要功能和特點(diǎn):   

1、更短的工藝時(shí)間；  

2、更快的升、降溫速率；  

3、處理基片時(shí)雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)zui小；  

4、減少顆粒沾污；  

5、由于腔體體積不大，氣氛純度容易控制.  

RTP退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：  

1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。  

2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對(duì)氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會(huì)帶來另一個(gè)問題，生長溫度的降低會(huì)導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實(shí)現(xiàn)短時(shí)間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。  

3、用于金屬硅化物合金形成。RTP退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。  

RTP退火爐技術(shù)參數(shù)：