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二氧化硅薄膜沉積等離子增強CVD系統
簡要描述:

二氧化硅薄膜沉積等離子增強CVD系統由等離子發生器,三溫區管式爐、單溫區管式爐、射頻電源、真空系統組成。等離子增強CVD系統為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應。

  • 產品型號:CY-PECVD50R-1200-Q
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-11-17
  • 訪  問  量:149

詳細介紹

品牌CYKY

產品介紹:

二氧化硅薄膜沉積等離子增強CVD系統由等離子發生器,三溫區管式爐、單溫區管式爐、射頻電源、真空系統組成。等離子增強CVD系統為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD), 該PECVD石墨烯薄膜制備設備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在真空腔體內形成等離子體,利用等離子的強化學活性,改善反應條件,利用等離子體的活性來促進反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。

等離子增強CVD系統適用范圍:

等離子增強CVD系統可以用于:石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗場所??稍谄瑺罨蝾愃菩螤顦悠繁砻娉练eSiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜,并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應用于刀具、高精模具、硬質涂層、裝飾等領域。

二氧化硅薄膜沉積等離子增強CVD系統技術參數:

產品型號

CY-PECVD50R-1200-Q

爐管材質

高純石英

爐管直徑

50mm

爐管長度

2830mm

爐膛長度

660mm

加熱區長

200mm+200mm+200mm

工作溫度

0~1100℃

控溫精度

±1℃

控溫模式

30段或50段程序控溫

顯示模式

LCD

密封方式

304不銹鋼真空法蘭

法蘭接口

1/4英寸卡套接頭,KF16/25/40接頭

可抽真空

4.4E-3Pa

供電電源

AC:220V 50/60Hz

產品型號

CY-O1200-50IT

爐管材質

高純石英

爐管直徑

50mm

爐管長度

2830mm

爐膛長度

440mm

加熱區長

400mm

恒溫區長

200mm

工作溫度

0~1100℃

控溫精度

±1℃

控溫模式

30段或50段程序控溫

顯示模式

LCD

密封方式

304不銹鋼真空法蘭

法蘭接口

1/4英寸卡套接頭,KF16/25/40接頭

可抽真空

4.4E-3Pa

供電電源

AC:220V 50/60Hz

RF

功率范圍

0~500W可調

工作頻率

13.56MHz+0.005%

工作模式

連續輸出

顯示模式

LCD

匹配阻抗模式

能夠匹配,起輝均勻布滿三溫區爐管

功率穩定度

≤2W

正常工作反射功率

≤3W

放大反射功率

≤70W

諧波分量

≤-50dBc

整機效率

≥70%

功率因素

≥90%

供電電壓/頻率

單相交流(187V~153V) 頻率50/60Hz

控制模式

內控/PLC 模擬量/RS232/485通訊

電源保護設置

DC過流保護,功放過溫保護,反射功率保護

冷卻方式

強制風冷

起輝長度

在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光能布滿三個溫區的爐體長度

四路質子流量計

質子流量計

流量范圍

MFC1量程:0~200sccm  MFC2量程:0~200sccm

MFC3量程:0~500sccm  MFC4量程:0~500sccm

分別對應氣體H2、 CH4、 N2、 Ar

測量精度

±1.5%F.S

重復精度

±0.2%FS

線性精度

±1%F.S

響應時間

≤4s

工作壓力

-0.15Mpa~0.15Mpa

流量控制

液晶觸摸屏控制,數字顯示,每路氣體含有針閥單獨控制

進氣接口

可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管

出氣接口

可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管

連接方式

雙卡套接頭

工作溫度

5~45℃

氣體預混

配氣體預混裝置

供電電源

AC:220V 50/60Hz

機械泵

旋片泵

抽氣速率

1.1L/S

排氣接口

KF16

真空測量

電阻規

極限真空

1.0E-1Pa

供電電源

AC:220V 50/60Hz

抽氣接口

KF16

軌道

軌道長度

3米,能實現三溫區爐子一個爐位長度的滑動,實現快速升降溫

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