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1200℃真空RTP退火爐
簡要描述:

1200℃真空RTP退火爐是一款12寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術,可實現真正的基底溫度測量,不需要采用傳統快速退火爐的溫度補償,溫度控制**,溫度重復性高,客戶包括國際上許多半導體公司及科研團隊,是半導體制程退火工藝的理想選擇

  • 產品型號:CY-RTP1000-Φ300-T
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-11-16
  • 訪  問  量:215

詳細介紹

簡單介紹:

1200℃ 真空RTP退火爐是一款12寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術,可實現真正的基底溫度測量,不需要采用傳統快速退火爐的溫度補償,溫度控制**,溫度重復性高,客戶包括國際上許多半導體公司及科研團隊,是半導體制程退火工藝的理想選擇


詳情介紹:

  • 一些高溫陶瓷材料的燒結后處理可以使用 1200℃RTP 退火爐。例如,氧化鋁(Al?O?)陶瓷在燒結過程中可能會出現殘余應力,1200℃快速退火能夠有效消除這些殘余應力,提高陶瓷材料的機械性能,如強度和韌性。同時,對于含有添加劑的陶瓷材料,退火過程還可以促進添加劑在陶瓷基體中的均勻分布,進一步改善陶瓷的性能。

  • 在某些金屬合金的熱處理中,1200℃RTP 退火爐也有應用。例如,對于一些高溫合金,在熔煉和成型后,1200℃的快速退火可以調整合金的組織結構,細化晶粒,提高合金的高溫性能,如高溫強度和抗蠕變性能。

 

技術特色:

• 真正的基片溫度測量,無需傳統的溫度補償

• 紅外鹵素管燈加熱

• 極其優異的加熱溫度**性與均勻性

• 快速數字PID溫度控制

• 不銹鋼冷壁真空腔室

• 系統穩定性好

• 帶觸摸屏的PC控制

• 兼容常壓和真空環境,真空度標準值為5×10-3Torr,采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

• *高3路氣體(MFC控制)

• 沒有交叉污染,沒有金屬污染

技術參數:

產品名稱

1200℃ 真空RTP退火爐

產品型號

CY-RTP1000-Φ300-T

基片尺寸

12英寸

基片基座

石英針(可選配SiC涂層石墨基座)

溫度范圍

150-1200℃

加熱速率

10-150℃/S

溫度均勻性

≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

溫度控制精度

≤ ±3℃

溫度重復性

≤ ±3℃

真空度

5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

氣路供應

標準1路N2吹掃及冷卻氣路,由MFC控制(*多可選3路)

退火持續時間

≥10min@1200℃

溫度控制

快速數字PID控制

尺  寸

890mm*950mm*1400mm

 

 

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