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真空磁控濺射鍍膜儀
簡要描述:

真空磁控濺射鍍膜儀主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱公轉臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。真空磁控濺射鍍膜儀廣泛應用于科研院所、實驗室制備單層或多層薄膜,以及新材料、新工藝研究。

  • 產品型號:CY-HVM
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-11-17
  • 訪  問  量:178

詳細介紹

品牌CYKY價格區間10萬-30萬
產地類別國產應用領域電子/電池,道路/軌道/船舶,鋼鐵/金屬,航空航天,汽車及零部件

設備用途:  

CY-HVM真空磁控濺射鍍膜儀用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。  

技術參數:  

真空室  

梨型真空室,尺寸Ø 560×350mm  

真空系統配置  

復合分子泵、機械泵、閘板閥  

極限壓力  

2.0 * 10-5 Pa (經烘烤除氣后)  

恢復真空時間:  

40 分鐘可達6 .6*10-4 Pa 。(系統短時間暴露大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣)  

 

磁控靶組件  

永磁靶5套;靶材尺寸Ø60mm(其中一個可濺射磁性材料);各靶射頻灘射和直流裁射兼容;靶內水冷;靶與樣品距離 90~130mm可調;  

 

基片水冷加熱公轉臺  

基片結構  

設計6個工位,其中1個工位安裝加熱爐,其余工位為水冷基片臺  

樣品尺寸  

Ø30mm,可放置6  

運動方式  

0˜360℃往復回轉  

加熱  

基片加熱*高溫度600±1  

基片負偏壓  

200  

氣路系統  

控制器 2  

計算機控制系統  

控制樣品轉動,擋板開關,靶位確認等  

設備占地面積  

主機  

1300×800mm2  

電控柜  

700×700m2  



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